碳化硅烧结炉-碳化硅衬底沉积高取向金刚石薄膜

碳化硅烧结炉-碳化硅衬底沉积高取向金刚石薄膜

碳化硅烧结炉生产碳化硅。采用直流辉光放电等离子体设备在单晶碳化硅表面沉积高晶取向金刚石薄膜。研究了基片温度以及甲烷浓度对金刚石薄膜晶粒取向的影响。用SEM等测试方法对金刚石薄膜进行表征。过高或过低的基片温度会使得金刚石薄膜表现出（111）面生长的趋势。高甲烷浓度和低甲烷浓度也会使得金刚石薄膜晶粒取向发生改变。最终采用850度以及5%甲烷浓度这一沉积参数进行金刚石薄膜的沉积，并制备出了取向度非常好的（100）面金刚石薄膜。高温碳化硅烧结炉专业生产碳化硅。

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