SiC陶瓷材料的无压烧结
SiC陶瓷材料的高温真空烧结炉反应烧结虽然简便易行,但无法根除产品中残留的Si,因 而使用温度较低,同时也给应用环境和工况条件带来诸多的限制。单就陶瓷材 料力学性能指标而言,高温真空烧结炉热压烧结工艺无疑更易于获得较高的力学性能和更为均 匀的显微结构,但高温真空烧结炉热压烧结产品的形状单一、成本高。因此人们的兴趣逐渐由 热压烧结SiC和反应烧结SiC逐渐转向为高温真空烧结炉的无压烧结SiC[13J4]o无压烧结可以制 备形状复杂的零件和大尺寸的SiC陶瓷部件,而且相对容易实现工业化,因 此,被认为是SiC陶瓷复合材料最有前途的烧结方法。与高温烧结炉反应烧结方法相比, 无压烧结SiC的纯度较高,SiC的质量分数大于97%,耐腐蚀性大大优于反应 烧结SiC,产品更具有市场竞争力。
纯SiC陶瓷材料属于很强的共价键型稳定化合物,利用高温真空烧结炉无压烧结方法很难 烧结,因而必须借助于添加剂G根据不同的添加剂高温真空烧结炉无压烧结又可分为固相烧 结和液相烧结两种。B-C和T1B,等是SiC固相烧结的有效添加剂,Al2o3-Y2o3 和A14Cj-B4C等是SiC液相烧药的有效添加剂。无论是固相烧结还是液相烧 结,均在惰性气体(氧气)保护下烧结。